日本Pascal緊湊型激光MBE裝置超真空系統(tǒng) PASCAL/日本 LMBE 特點介紹

易于操作的設(shè)計可以輕松控制各種沉積條件

該裝置是通過用激光照射放置在超高真空沉積室中的目標(biāo)材料來進行激光燒蝕，并將該材料沉積在放置在相對位置的基板上以形成沉積膜的裝置。

它由成膜室、真空排氣系統(tǒng)、靶材旋轉(zhuǎn)單元、紅外燈基板加熱單元和負載鎖定室單元組成。

該裝置的特點包括紅外燈基板加熱裝置，即使在氧氣氣氛（超過500 mTorr）下也可以將基板加熱到800°C以上，

而這在以前是很困難的，以及允許樣品輸送的機構(gòu)到沉積室而不將其暴露在大氣中。

日本Pascal緊湊型激光MBE裝置超真空系統(tǒng) PASCAL/日本 LMBE 規(guī)格參數(shù)

高度可擴展的超高真空激光 MBE (PLD) 系統(tǒng)

極限真空 6.7×10 -7 Pa以下（5×10 -9 Torr）

配備紅外線燈加熱裝置，可將2英寸板材加熱至800℃以上。

6 種類型的目標(biāo)可用

通過負載鎖定室單元在真空中輕松更換靶材和基材

可選端口：可連接各種組件

可選擇計算機全自動控制、控制器電手動控制或兩者兼有。

成膜室及真空排氣系統(tǒng) 腔體形狀： φ300mm×500mmH 圓柱形 

極限真空：6.7×10 -7 Pa以下（5×10 -9 Torr） 

磁懸浮渦輪泵800L/s 

 目標(biāo)旋轉(zhuǎn)單位 φ20mm×6軸 

自轉(zhuǎn)/公轉(zhuǎn)電機驅(qū)動（PC控制或電手動控制） 

 基材加熱裝置 紅外線燈基板加熱裝置　（可改為半導(dǎo)體激光基板加熱裝置） 

板尺寸：1.5英寸（或2英寸） 

基材加熱溫度：800℃以上 

 組合掩模單元 無（可選） 

RHEED單位 無（可選） 

負載鎖定室單元 腔體形狀： φ160mm×240mmH 圓柱形 

傳輸桿 

存儲數(shù)量：2個板架、4個靶架